5,显影液
在已经曝光的硅衬底胶面喷淋显影液,或将其浸泡在显影液中,正胶是曝光区、而负胶是非曝光区的胶膜溶入显影液,胶膜中的潜影显现出来,形成三维图像。
显影完成后通常进行工艺线的显影检验,通常是在显微镜下观察显影效果,显影是否彻底、光刻胶图形是否完好。
影响显影的效果主要因素:
1,曝光时间,2前烘温度和时间,3光刻胶膜厚,4显影液浓度温度,5显影液的搅动情况。
光刻胶底膜处理:清洗:清洁干燥,光刻胶进口 正胶,使硅片与光刻胶良好的接触。烘干:去除衬底表面的水汽,使其彻底干燥,增粘处理(涂底): 涂上增加光刻胶与硅片表面附着能力的化合物,HMDS,光刻胶疏水,Sio2 空气中,Si-OH, 表面有,亲水性,使用HMDS (H2C)6Si2NH 涂覆,熏蒸 与 SI –OH结合形成Si-O-Si(CH2)2,光刻胶,与光刻胶相亲。
光刻的工序
下面我们来详细介绍一下光刻的工序:
一、清洗硅片(Wafer Clean)
清洗硅片的目的是去除污染物去除颗粒、减少针孔和其它缺陷,提高光刻胶黏附性
基本步骤:化学清洗——漂洗——烘干。
自1970年美国RCA实验室提出的浸泡式RCA化学清洗工艺得到了广泛应用,1978年RCA实验室又推出兆声清洗工艺,近几年来以RCA清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来,例如:美国FSI公司推出离心喷淋式化学清洗技术、美国原CFM公司推出的Full-Flow systems封闭式溢流型清洗技术、美国VERTEQ公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术(例Goldfinger Mach2清洗系统)、美国SSEC公司的双面檫洗技术(例M3304 DSS清洗系统)、 日本提出无药液的电介离子水清洗技术(用电介超纯离子水清洗)使抛光片表面洁净技术达到了新的水平、以HF / O3为基础的硅片化学清洗技术。
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